edu磨課師+ 下世代能量轉換技術 講師:吳添立 國立陽明交通大學國際半導體產業學院 副教授 影音教學 中文發音 繁體中文版(DVD版)
內容說明:
【課程簡介】
開課學校/機構:國立陽明交通大學
課程發展年度:2023
課程類別:應用科學_奈米科技
本課程將介紹氮化鎵及碳化矽半導體材料特性，並簡介氮化鎵及碳化矽功率元件結構及操作原理
【先備能力】
半導體元件物理
【學習目標】
學習過本課程後，學員可習得以下能力：
(1) 理解功率半導體技術
(2) 了解氮化鎵及碳化矽材料特性
(3) 具有分析氮化鎵及碳化矽功率元件能力
【授課教師】
吳添立
任職單位
國立陽明交通大學國際半導體產業學院 副教授
簡述
研究領域
1. 應用於節能功率及通訊B5G/6G的下世代高可靠度氮化鎵/碳化矽電子元件
2. 5nm以下高可靠度半導體元件設計及製作
3. 前瞻半導體元件可靠度評估及失效機制分析
4. 人工智慧於半導體元件設計及可靠度評估
課程內容:
001_1-1-1-Introduction.mp4
002_1-1-2-Efficiency,-converter.mp4
003_1-1-3-Single-pole-Double-Throw-(SPDT)-Switch.mp4
004_1-2-1-The-evolution-of-power-semiconductor.mp4
005_1-2-2-Power-semiconductor.mp4
006_1-2-3-Ideal-vs.-typical-power-device-characristics.mp4
007_1-3-1-Advantages-of-wide-bandgap-materials.mp4
008_2-1-2-The-relationship-of-the-bandgap-and-lattice-constant.mp4
009_2-1-3-High-sheet-charge-density.mp4
010_2-2-1-GaN-epitaxy-and-high-electron-mobility-transistors.mp4
011_2-2-2-Gating-layer-growth.mp4
012_2-2-3-Large-epiwafer.mp4
013_2-2-4-Why-growing-GaN-layer-on-Si-is-so-difficult.mp4
014_2-2-5-Growth-on-SiC.mp4
015_2-2-6-The-HEMT.mp4
016_2-3-Summary.mp4
017_3-1-1-Introduction.mp4
018_3-1-2-E-mode-technologies-in-lateral-GaN-HEMTs.mp4
019_3-1-3-E-mode-by-top-band-diagram-
Engineering.mp4
020_3-1-4-Regrown-p-GaN-gate-HEMTs-with-high-Vth.mp4
021_3-1-5-Cascode-approach.mp4
022_3-1-6-Typical-process-for-E-mode-p-GaN-HEMTs.mp4
023_3-2-1-Challenges-and-development-trends-in-GaN-power-devices.mp4
024_3-2-2-CMOS-compatible-Au-free-processing.mp4
025_3-2-3-Power-switching-devices.mp4
026_3-2-4-More-challenges-and-opportunities-ahead.mp4
027_3-2-5-1kv-GaN-power-device-and-conclusion.mp4
028_4-1-1-Introduction.mp4
029_4-1-2-The-sensitive-areas-of-GaN-technology.mp4
030_4-1-3-Special-reliability-issues-in-Schottky-HEMTs.mp4
031_4-1-4-Off-state_-Dynamic-Ron-(Current-collapse).mp4
032_4-1-5-Non-monotonic-increase-of-dynamic-Ron.mp4
033_4-1-6-Buffer-time-dependent-breakdown.mp4
034_4-1-7-Hard-switch-stress.mp4
035_4-2-1-Defect-analysis-in-GaN-devices.mp4
036_4-2-2-Drain-current-deep-level-transient-spectroscopy-(I-DLTS).mp4
037_4-3-How-to-qualify-GaN-power-devices,-and-Summary.mp4
038_5-1-1-Introduction.mp4
039_5-1-2-SiC-crystal-structure.mp4
040_5-1-3-SiC-impurity-doping-and-carrier-density.mp4
041_5-1-4-SiC-drift-velocity.mp4
042_5-2-1-SiC-power-device-architecture.mp4
043_5-2-2-SiC-schottky-diode.mp4
044_5-2-3-Junction-barrier-schottky-Merged-pin-schottky-diodes.mp4
045_5-2-4-Advanced-DMOSFET-design.mp4
046_5-2-5-Advanced-UMOSFET-design.mp4
047_5-2-6-Conclusion.mp4
048_6-1-1-Introduction.mp4
049_6-1-2-Doping-in-SiC-junctions.mp4
050_6-1-3-Hot-implantation.mp4
051_6-1-4-Etching.mp4
052_6-1-5-Interface-nitridation.mp4
053_6-1-6-SiC-technology-evolution.mp4
054_6-2-1-Reliability-issues-in-SiC-power-devices.mp4
055_6-2-2-Conclusions.mp4
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